世界の放射線硬化電子機器市場（2025 – 2030）：部品別、製造技術別、製品種類別、用途別、地域別分析レポート

 

市場概要

放射線硬化エレクトロニクス市場は、2025年の17.7億米ドルから2030年には23.0億米ドルに成長すると予測され、予測期間中の年平均成長率は5.4%です。同市場は、情報・監視・偵察（ISR）活動の活発化、軍事・宇宙用途のマルチコアプロセッサの進歩、商業衛星や核硬化システムからの需要の増加により、着実に成長しています。政府と防衛機関は、過酷な環境でのミッションの成功を確実にするために多額の投資を行い、一方、世界的な宇宙ミッションは、再構成可能な耐放射線エレクトロニクスと商用オフザシェルフ（COTS）コンポーネントの採用の機会を促進します。

キーポイント
コンポーネント別
放射線硬化エレクトロニクス市場は、ミックスドシグナルIC、プロセッサ＆コントローラ、メモリ、パワーマネジメントで構成されています。2030年には、パワーマネージメント分野が最大の市場シェアを占めると予測。パワーマネージメント・システムの必要性は、その汎用性と継続的かつ効率的なシステム性能を確保する必要性とともに、市場成長の顕著な推進要因となっています。
製造技術別
この市場には、設計による放射線硬化型とプロセスによる放射線硬化型があります。設計による放射線硬化セグメントは、予測期間を通じて市場全体を支配すると予想されます。これらの技術には、放射線の影響に対する優れた耐性を提供するためのさまざまな設計戦略が含まれるため、人工衛星や防衛分野で幅広く使用される可能性があります。
製品タイプ別
同市場は、製品タイプ別に市販既製品とカスタムメイド製品に区分されます。予測期間を通じて市場をリードすると予測されるのは、市販の既製品分野です。費用対効果、汎用性、適応性の高さから、放射線硬化型エレクトロニクスの応用分野で高い需要があります。
用途別
用途別では、予測期間中、宇宙（衛星）分野が最も速い速度で成長し、航空宇宙・防衛分野がこれに続くと予測されています。人工衛星、プローブ、その他の機器は、その実現可能性と有用性を確保するために過酷な条件に耐える必要があります。
地域別
アジア太平洋地域は、宇宙探査、防衛近代化、原子力エネルギーへの投資の増加により、最も急成長している市場になると予想されます。

主要企業・市場シェア

競争環境
主要市場プレイヤーは、パートナーシップや投資など、有機的および無機的な成長戦略を採用しています。市場をリードするのは、幅広い製品ポートフォリオを持つMicrochip、BAE Systems、STMicroelectronicsです。Vorago Technologiesや3D Plusのようなニッチ企業は、高信頼性設計で革新をもたらします。
放射線硬化型エレクトロニクス産業は、宇宙開発、防衛近代化、原子力プログラムへの投資の増加に牽引され、今後10年間で着実に拡大する見込みです。これらのコンポーネントは過酷な放射線環境に耐えるよう設計されており、衛星、軍事システム、重要インフラにおいて信頼性の高い性能を保証します。通信や地球観測のための衛星配備の増加や、安全な防衛用電子機器の需要の増加が、採用に拍車をかけています。設計と製造の技術的進歩により、Rad-Hardエレクトロニクスはより効率的で汎用的なものとなり、世界市場の持続的成長の舞台となっています。

顧客の顧客に影響を与えるトレンドと混乱
政府衛星や商業衛星の開発が増加し、地球高周回軌道に長期滞在する衛星を含む複数の宇宙ミッションが普及していることが、放射線硬化型エレクトロニクス市場の成長機会を生み出しています。しかし、放射線硬化型エレクトロニクスの主な市場牽引役は、ミッションの信頼性を高めるために高度な放射線硬化型ICを使用する偵察衛星や通信衛星などの低軌道アプリケーションです。

市場エコシステム
放射線硬化型電子機器市場のエコシステムは、材料メーカー、放射線硬化型電子機器メーカー、製造施設プロバイダー、システムインテグレーター、販売業者、エンドユーザーで構成されています。放射線硬化型エレクトロニクスの主要メーカーには、Microchip Technology Inc.（米国）、ルネサス エレクトロニクス株式会社（日本）、BAE Systems（英国）、Infineon Technologies AG（ドイツ）、STマイクロエレクトロニクス（スイス）、AMD（米国）などがあります。

地域
予測期間中、放射線硬化型エレクトロニクスの世界市場においてアジア太平洋地域が急成長
北米は、NASA、米国国防総省、民間宇宙企業からの多額の投資に支えられ、2030年までに最大の市場シェアを占める見込み。欧州も、ESAプログラムや現在進行中の防衛近代化努力に後押しされ、強い地位を維持しています。一方、アジア太平洋地域は、中国、インド、日本における宇宙ミッションの増加、各地域の防衛予算の増加、半導体製造の進歩に後押しされ、最も高いCAGRを記録すると予測されています。その他の地域は、ニッチな防衛およびエネルギープロジェクトにこれらの技術を採用し続けています。

放射線硬化エレクトロニクス市場： 企業評価マトリックス
放射線硬化型エレクトロニクス市場のマトリックスでは、BAE Systems (Star) 社が、強力な市場プレゼンスと広範な製品ポートフォリオで際立っており、世界中の重要な防衛・宇宙プログラムをサポートしています。放射線硬化エレクトロニクス企業は、過酷な環境に耐えるコンポーネントの開発における長年の専門知識により、軍事、航空宇宙、衛星アプリケーションでの採用を推進するリーダーとしての地位を確立しています。一方、テキサス・インスツルメンツ（エマージング・リーダー）は、革新的な耐放射線半導体ソリューションで着実に勢いを増しており、政府および民間宇宙ミッションの両方に対応しています。BAE Systemsが規模とレガシープログラムで優位に立つ一方、テキサス・インスツルメンツは、次世代プラットフォーム向けの耐放射線マイクロエレクトロニクスの進歩に注力することで、リーダーの四分円に入る強い成長の可能性を示しています。

主要市場プレイヤー
マイクロチップ・テクノロジー社（米国）
BAEシステムズ（英国）
ルネサス エレクトロニクス（日本）
インフィニオンテクノロジーズAG（ドイツ）
STマイクロエレクトロニクス（スイス）

最近の動向
2025年4月：BAEシステムズは、NX450超広帯域アンテナ・プロセッサ・ユニット（APU）を耐放射線サブシステムに統合することにより、宇宙仕様のチップを開発するためにネクスト・セミコンダクターと協力しました。GlobalFoundriesの12nm FinFETプロセスを活用したこの統合は、センサ近傍のデジタル化を強化し、性能の向上、SWaPの削減、衛星RFおよび電子戦システムの強化を実現します。
2024年1月：Infineon Technologies AGは、宇宙アプリケーション向けの放射線耐性非同期スタティック・ランダム・アクセス・メモリ（SRAM）チップを発表。RADSTOP 技術を使用したこれらのチップは、放射線硬度を高める独自の方法で設計されており、過酷な環境下でも高い信頼性と性能を保証します。
2023年10月：Teledyne e2vはMicrochip Technology社と共同で、Microchip社の耐放射線ギガビットイーサネットPHYを搭載した先駆的なスペースコンピューティングのリファレンスデザインを開発しました。この革新的な設計は宇宙アプリケーションにおける高速データルーティングに焦点を当て、EDHPC 2023で発表されました。
2023年9月：Microchip Technology Inc.は8ビット、16ビット、32ビットのMCUと32-MPUをサポートし、エッジでの効率的なMLを実現する包括的なソリューション、MPLAB Machine Learning Development Suiteを発表しました。統合されたワークフローにより、Microchip社の製品ポートフォリオ全体のMLモデル開発を効率化します。
2023年9月：Infineon Technologiesは新エネルギー自動車充電器市場で中国のInfypower社と協業し、業界をリードする1200 VのCoolSiC MOSFETパワー半導体を提供しました。この提携は、電気自動車充電ステーションの効率向上を目的としたもので、Infypower社の30kW DC充電モジュール向けに、広い一定電力範囲、高密度、最小限の干渉、高信頼性を提供します。

 

【目次】

はじめに

15

研究方法論

20

要旨

25

プレミアムインサイト

30

市場概要

35

• 5.1 はじめに
• 5.2 市場ダイナミクス
• 5.3 顧客のビジネスに影響を与えるトレンド／混乱
• 5.4 価格分析 コンポーネントの平均販売価格動向（主要プレーヤー別）（2021～2024年） 平均販売価格動向（地域別）（2021～2024年
• 5.5 バリューチェーン分析
• 5.6 エコシステム分析
• 5.7 技術分析 主要技術 – 耐放射線半導体 – 耐放射線設計技術 – 耐放射線パッケージング 補完技術 – 放射線試験・シミュレーションツール – 熱管理ソリューション 隣接技術 – 衛星・宇宙システム – 防衛用電子機器・航空電子機器 – 量子・極低温電子機器
• 5.8 特許分析
• 5.9 貿易分析 輸入シナリオ（HS コード 8541 – 半導体デバイス（例：ダイオード、トランジスター、半導体をベースとする変換器）、感光性半導体デバイス（光電池を含む）、（HS コード 8541 – 半導体デバイス（例：ダイオード、トランジスター、半導体をベースとする変換器）、感光性半導体デバイス（光電池を含む）。モジュールに組み立てられているか、パネルに構成されているか否かを問わない光電池（excl. PHO輸出シナリオ（HSコード8541）-（半導体デバイス（ダイオード、トランジス タ、半導体ベースの変換器など）；感光性半導体デバイス（光電変換セルを含 む。モジュールに組み立てられているか、パネルになっ ているか否かにかかわらず、光起電力セル（excl. フォトボルタ
• 5.10 主要会議とイベント（2025～2026年）
• 5.11 ケーススタディ分析
• 5.12 投資と資金調達のシナリオ
• 5.13 規制の状況 規制機関、政府機関、その他の組織 規制の枠組み
• 5.14 ポーターズファイブフォース分析 新規参入の脅威 代替品の脅威 サプライヤーの交渉力 バイヤーの交渉力 競合ライバルの激しさ
• 5.15 主要ステークホルダーと購買基準 購買プロセスにおける主要ステークホルダー 購買基準
• 5.16 AI／ジェネレーティブAIのインパクト
• 5.17 2025年米国関税の影響 – 放射線硬化エレクトロニクス市場 イントロダクション 主な関税率 価格の影響分析 主な影響国／地域- 米国- 欧州- アジア太平洋地域 用途への影響

放射線硬化エレクトロニクス市場、材料選択および包装タイプ別

50

• 6.1 はじめに
• 6.2 材料選択 炭化ケイ素（SIC） 窒化ガリウム（GAN）
• 6.3 パッケージングタイプ フリップチップセラミックパッケージ

放射線硬化エレクトロニクス市場、部品別

70

• 7.1 導入
• 7.2 ミックスドシグナルIC A/D＆D/Aコンバータ マルチプレクサ／レジスタ
• 7.3 プロセッサ＆コントローラ mpu mcu asic fpga
• 7.4 MEMORY VOLATILE MEMORY- DRAM- SRAM NONVOLATILE MEMORY- MRAM- Flash- その他 (Re RAM, EEPROM, NVRAM)
• 7.5 電源管理 モスフェット・ダイオード・サイリスタ・イグビット
• 7.6 その他

放射線硬化エレクトロニクス市場、製造技術別

90

• 8.1 導入
• 8.2 設計による放射線硬化（Rhbd） 全イオン化ドーズシングルイベント効果（参照）
• 8.3 プロセス別放射線硬化（RHBP） シリコン・オン・インシュレーター（SOI） シリコン・オン・サファイア（SOS）
• 8.4 ソフトウェア別放射線硬化（RHBS）

放射線硬化エレクトロニクス市場、製品タイプ別

110

• 9.1 導入
• 9.2 商用既製品（COT）
• 9.3 カスタムメイド

放射線硬化エレクトロニクス市場、用途別

130

• 10.1 はじめに
• 10.2 宇宙（衛星） 商業軍事・防衛
• 10.3 航空宇宙・防衛兵器／ミサイル車両／航空電子機器
• 10.4 原子力発電所
• 10.5 医療用埋め込み型医療機器 放射線医学
• 10.6 その他（科学研究施設・研究所）

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レポートコード：SE 2934

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